來(lái)源：新浪VR

11月20日，據(jù)韓媒消息，三星將在美國(guó)德州奧斯汀新建采用極紫外光（EUV）技術(shù)的半導(dǎo)體工廠，項(xiàng)目總投資規(guī)模約100億美元。三星以及相關(guān)行業(yè)人士近日透露，三星電子將在德州奧斯汀建立晶圓廠，并使用EUV光刻機(jī)臺(tái)，生產(chǎn)非記憶體半導(dǎo)體與系統(tǒng)LSI產(chǎn)品，投資規(guī)模預(yù)估100億美元，月產(chǎn)能約7萬(wàn)片。

韓國(guó)半導(dǎo)體在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈當(dāng)中占據(jù)重要的地位。在IC Insights所公布的2020年上半年（1H20）全球十大半導(dǎo)體銷(xiāo)售排名中，韓國(guó)廠商就占了兩個(gè)名額，分別是排名第二的三星和排名第四的SK海力士。

目前，三星啟動(dòng)了一個(gè)“半導(dǎo)體2030計(jì)劃”，希望在2030年之前投資133萬(wàn)億韓元，約合1160億美元成為全球最大的半導(dǎo)體公司，其中先進(jìn)邏輯工藝是重點(diǎn)之一，目標(biāo)就是要追趕上臺(tái)積電。在最近的幾代工藝上，三星的量產(chǎn)進(jìn)度都落后于臺(tái)積電，包括10nm、7nm及5nm，不過(guò)5nm算是縮短了差距，今年也量產(chǎn)了，此前也獲得了高通、NVIDIA、IBM等客戶(hù)的8nm、7nm訂單。

但三星追趕臺(tái)積電的關(guān)鍵是在下一代的3nm上，因?yàn)檫@一代工藝上三星押注了GAA環(huán)繞柵極晶體管，是全球第一家導(dǎo)入GAA工藝以取代FinFET工藝的，而臺(tái)積電比較保守，3nm還是用FinFET，2nm上才會(huì)使用GAA工藝。