來源：新浪VR

據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，臺積電未來的2納米工藝會利用GAA技術(shù)，目前正以超過預(yù)期的速度進行開發(fā)。雖然三星已經(jīng)計劃在2021年的3納米節(jié)點（量產(chǎn)）上改用GAA技術(shù)，但臺積電表示，其3納米節(jié)點將繼續(xù)使用FinFet工藝，而基于GAA技術(shù)的2nm節(jié)點將在2023年下半年開始量產(chǎn)。

不過，目前臺積電遙遙領(lǐng)先于其韓國競爭對手，大多數(shù)芯片制造商希望2021年采用5納米工藝，繼蘋果之后。根據(jù)源，5nm 節(jié)點的收益率甚至比現(xiàn)有的 7nm 流程更好。另一方面，3nm工藝將在2022年下半年批量生產(chǎn)。臺積電似乎相信，其5納米和3納米節(jié)點將足以對抗三星的3納米GAA進程。

臺積電的優(yōu)勢在于，它將繼續(xù)是蘋果的主要鑄造合作伙伴，直到2nm GAA節(jié)點，這是聯(lián)合開發(fā)的智能手機制造商的充分支持。

FinFet 晶體管：在這里，通過應(yīng)用電荷，當使用場效應(yīng)晶體管 （FET） 打開時，柵極允許電流從源流向涌動。

如果你想知道GAA有什么大不了的，它更多的是關(guān)于電流泄漏，因為你收縮晶體管。通常，當您打開晶體管時，電流僅在晶體管的源和漏管之間流動。但是，如果您在柵極長度方面低于某些限制，則即使晶體管關(guān)閉，電流在源之間流動并排出。

如上圖所示，中間的門從三面覆蓋源排水管。這是一個 3D 結(jié)構(gòu)，如上圖所示。這是一個側(cè)視圖。使用 GAA 時，門（下面為紫色）覆蓋了所有四面的所有源漏通道，進一步減少了泄漏。