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芯片生產(chǎn)商比亞迪

新消費(fèi)
2018
12/13
11:47
愛(ài)范兒
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評(píng)論

昨天比亞迪在寧波開(kāi)了一場(chǎng)發(fā)布會(huì),沒(méi)發(fā)新車,發(fā)了一款芯片。

像比亞迪這樣的車企確實(shí)挺「奇葩」的,從數(shù)碼 3C 的電池到汽車動(dòng)力電池,再到整車制造,無(wú)所不通。

近日,比亞迪再次刷新了坊間對(duì)其公司業(yè)務(wù)的認(rèn)知,比如說(shuō)不聲不響弄了個(gè)芯片。

這塊芯片有個(gè)并不太好讀的縮寫(xiě) IGBT,全拼和中文名是這樣的 Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管芯片。

先交代一下,這不是比亞迪的發(fā)明,你馬路上見(jiàn)到的新能源車上都搭載了 IGBT,但供應(yīng)廠商無(wú)非就德、日、中三國(guó)那么幾家。

為數(shù)不多主機(jī)廠里頭自主在研發(fā) IGBT 的,除了比亞迪,豐田算一個(gè),其余基本都依賴英飛凌等供應(yīng)商。

一般主機(jī)廠「越俎代庖」干了供應(yīng)商的活兒,原因很簡(jiǎn)單,關(guān)鍵零部件不想被供應(yīng)商「掐住」脖子,同時(shí)做到成本可控。

手機(jī) PC 到現(xiàn)在的汽車,芯片之爭(zhēng)格外激烈,不少國(guó)產(chǎn)品牌喊出了「國(guó)產(chǎn)芯」的口號(hào),為了這個(gè)目標(biāo),比亞迪在半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)努力了十余年。

IGBT,電動(dòng)汽車的「命根子」

對(duì)于電動(dòng)車而言,IGBT 直接控制驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)直、交流電的轉(zhuǎn)換,決定了車輛的扭矩和最大輸出功率等。在車內(nèi),IGBT 芯片的重要性不亞于電池電芯。

了解電車結(jié)構(gòu)的人肯定知道,電車不是想象中的接電就走,電控系統(tǒng)格外重要,怎么高效地運(yùn)用電能是考驗(yàn)工程師的一個(gè)重要命題。

從汽車到地鐵、高鐵等軌道交通等等一切用電驅(qū)動(dòng)的載具中,IGBT 無(wú)處不在,具體由封裝形式不同分為模塊和單管,最基礎(chǔ)的還是芯片晶圓。

很容易想象,電壓越高,對(duì)于 IGBT 的要求也就更大。從車用的 600V 到軌道交通的 1100V-3000V,電流都需要 IGBT 來(lái)「駕馭」。

原理類似于喊了很多年的變頻空調(diào),在車?yán)镱^,IGBT 也是通過(guò)改變電流的頻率來(lái)實(shí)現(xiàn)電機(jī)的轉(zhuǎn)速,從而輸出所需的動(dòng)力。

另一方面,除了能「駕馭」電流,IGBT 還需要保證能耗。眾所周知,「發(fā)熱」是電子元器件的致命殺手,為了保證元件能夠正常運(yùn)行,發(fā)熱就需要散熱,這也就意味著車輛需要額外的電量去維持溫度。

一來(lái)二去,能量的損耗將大大影響電車的續(xù)航,所以從源頭上抑制發(fā)熱是關(guān)鍵。

無(wú)論是車輛性能還是續(xù)航表現(xiàn),IGBT 都扮演了非常重要的角色。目前,幾乎所有的比亞迪新能源車都搭載了自主研發(fā)的 IGBT,只能說(shuō)全新一代唐 EV 百公里 4.4S 加速能力和等速 600 公里續(xù)航絕非偶然。

「造芯」很難,比亞迪發(fā)布的 IGBT 4.0 有什么特點(diǎn)

和所有芯片一樣,IGBT 的研發(fā)制造同樣設(shè)計(jì)門(mén)檻高、制造技術(shù)難、投資大。

我們來(lái)看一下官方的「硬核」科普

芯片要求:

IGBT 芯片僅有人的指甲大小,但卻要在其上蝕刻十幾萬(wàn)乃至幾十萬(wàn)的微觀結(jié)構(gòu)電路,僅能在顯微鏡下查看。

IGBT 芯片設(shè)計(jì)難度高:IGBT 雖然是一個(gè)開(kāi)關(guān)器件,但涉及到的參數(shù)多達(dá)十幾個(gè),很多參數(shù)之間是相互矛盾,需要根據(jù)應(yīng)用折衷考慮。

晶圓制造工藝難度大:最主要體現(xiàn)在薄片加工處理上。采用最新的 1200V FS 技術(shù)的 IGBT,需要將晶圓減薄到 120um(約兩根頭發(fā)絲直徑)的厚度,再進(jìn)行 10 余道工序加工。

晶圓制造的廠房潔凈度要求非常高,需要一級(jí)凈化。一個(gè)零點(diǎn)幾微米的微塵掉落在晶圓上,就會(huì)造成一顆 IGBT 芯片失效。

至于加裝到車?yán)镞€需要考慮到模塊化等等,和數(shù)碼 3C 產(chǎn)品「舒適」的工作環(huán)境不同,車規(guī)級(jí)芯片還要應(yīng)對(duì)嚴(yán)苛的行車工況。

相比市面上的主流產(chǎn)品,比亞迪宣稱自家的 IGBT 4.0 具備以下優(yōu)勢(shì):

1.   電流輸出能力較當(dāng)前市場(chǎng)主流的 IGBT 高 15%,支持整車具有更強(qiáng)的加速能力和更大的功率輸出能力。

2.   同等工況下,綜合損耗較當(dāng)前市場(chǎng)主流的 IGBT 降低了約 20%,整車電耗顯著降低。

3.   溫度循環(huán)壽命可以做到當(dāng)前市場(chǎng)主流 IGBT 的 10 倍以上。

另一方面就是成本,比亞迪介紹,目前市面上主流的車載 IGBT 成本占到整車的 5% 左右,短期內(nèi)還在持續(xù)上漲。通過(guò)規(guī)?;慨a(chǎn),比亞迪希望進(jìn)一步降低成本,拉低。

目前比亞迪位于寧波的半導(dǎo)體工廠的月產(chǎn)五萬(wàn)片晶圓,理論上能夠配備五萬(wàn)輛新車。按照規(guī)劃,這家工廠的年產(chǎn)能有望做到十萬(wàn)片,除了自給自足外,還可以提供給其他主機(jī)廠使用。

最后一個(gè)彩蛋是,比亞迪宣布,在材料上進(jìn)一步突破,有望于 2019 年推出搭載 SiC 電控的電動(dòng)車。預(yù)計(jì)到 2023 年,比亞迪將在旗下的電動(dòng)車中,實(shí)現(xiàn) SiC 基車用功率半導(dǎo)體對(duì)硅基 IGBT 的全面替代,將整車性能在現(xiàn)有基礎(chǔ)上再提升 10 %。

SiC 具備高耐壓、低損耗、高效率的特性,是替代 Si 的第三代半導(dǎo)體材料

【來(lái)源:愛(ài)范兒】

THE END
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